K4B4G1646D-BCK0 SAMSUNG 智能芯片-硅晶电子

K4B4G1646D-BCK0各种计算环境

三星K4B4G1646D-BCK0业界首款DDR3开发于2005年，是最常用的系统解决方案，从个人电脑和家用电器到汽车和医疗设备。

高速和高性能

- DDR2的带宽加倍

三星K4B4G1646D-BCK0的增强带宽和可靠性推动了广泛的应用，如笔记本电脑，台式机和包括汽车在内的工业解决方案，所有这些都是DDR2的两倍。

低功耗，高效的DRAM解决方案

- 与DDR2相比，功耗降低了30％

三星K4B4G1646D-BCK0业界首款30纳米级DRAM功耗更低，与上一代产品相比，功耗降低了30％，从而降低了总体拥有成本。

K4B4G1646D-BCK0的特征

•可编程CAS延迟（CAS）：5,6,7,8,9,10,11,12,13

•可编程附加延迟：0，CL-2或CL-1时钟

•可编程CAS写延迟（CWL）= 5（DDR3-800），6

•内部（自校准）：通过ZQ引脚进行内部自校准

（RZQ：240欧姆±1％）

•使用ODT引脚进行裸片端接

•在低于T平均更新周期7.8us 85?C，3.9us在85C

•支持工业温度（-40~95°C）- tREFI 7.8us，-40°C≤TCASE≤85°C，- tREFI 3.9us，85°C

•异步复位

基本参数

Kynix部分＃ KY32-K4B4G1646D-BCK0

制造商零件编号 K4B4G1646D-BCK0

制造商 三星

数量 4600 PCS

无铅 无铅

RoHS： 符合RoHS标准

接口类型 SSTL_1.5

DRAM类型 DDR3 SDRAM

最大时钟频率（MHz） 1600

地址总线宽度（位） 18

最低工作电源电压（V） 1.425

典型工作电源电压（V） 1.5

最大工作电源电压（V） 1.575

工作电流（mA） 118

工作温度（°C） 0~ 95

I / O行数（位） 16

供应商包装 FBGA

标准包装名称 BGA

针数 90

安装 面贴装

包装长度/宽度 13.3/7.5

硅晶电子科技有限公司主营产品：

贴片电容品牌：日系：TDK、村田（murata）、太诱（TAIYO YUDEN）、京瓷（KYOCERA）、AVX
韩系：三星（SAMSUNG）、三和（SAMWHA）
美国：威世（VISHAY）、基美（KEMET）
台湾：国巨（YAGEO）、华新（Walsin）、禾伸堂（Holystone）、达方（DARFON）
大陆：风华（fenghua）、宇阳（EYANG）、三环
产品分装：0201/0402/0603/0805/1206/1210/1808/1812/2220

贴片电阻品牌：台湾：旺诠（RALEC）、国巨(YAGEO) 、丽智、大毅（TA-I TECH）、光颉（VIKING）、厚声（Uniohm）
日本：罗姆（ROHM）
产品分装:0201/0402/0603/0805/1206/1210/1812/2010/2512

贴片二三极管品牌：ST、ON、NXP、长电、ROHM、东芝、LRC
产品分装：SOT-23/SOT-89/SOD-323/SOD-123/SOD-523/LL34/DO-214AC(SMA)

贴片电感品牌：台庆、风华、顺络、TDK、村田、华新科、奇力新
产品分装:0201/0402/0603/0805/1206/1210/1812/2010/2512

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